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Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung - Mitsubishi Electric

einem reinen Metallpulver; und einem Legierungspul­ver gewählt ist. Siliziumcarbid, das folgende Schritte aufweist:Bereitstellen eines inerten

Siliciumcarbid Siliziumcarbid und Siliziumkarbid Siliziumcarb

wobei das Verfahren in einem ersten Schritt das Herstellen eines porösen So erhöhen beispielsweise Siliziumcarbid oder Aluminiumnitrid die Wärm

Halbleiteranordnung mit einem Siliziumcarbid-Substrat und

Verfahren zur Beschichtung einer Siliziumcarbidfaser mit Titan oder einer Titanbasislegierung mittels Plasmaspritzen, wobei

Siliciumcarbid Siliziumcarbid und Siliziumkarbid Siliziumcarb

Siliziumcarbid-Schottky-Diode Silicon carbide Schottky diodeHalbleiterbauteil, umfassend: A semiconductor device, comprising: ein SiC-Substrat mit einer besti

Siliciumcarbid Siliziumcarbid und Siliziumkarbid Siliziumcarb

wobei das Verfahren in einem ersten Schritt das Herstellen eines porösen So erhöhen beispielsweise Siliziumcarbid oder Aluminiumnitrid die Wärm

untersuchungen an technischem siliziumcarbid-(

2004519-daß man ein Bauteil aus Silizium-infiltriertem Siliziumcarbid mit40ä95 Gew.-% SiC,1ä45 Gew.-% Kohlenstoff-Partikeln der Korngröße

welches Siliziumcarbid in Pulver- oder Pa

Verfahren zum Herstellen eines Formkoerpers unter Verwendung eines Ausgangsmaterials, welches Siliziumcarbid in Pulver- oder Partikelform sowie Kupfer enthae

Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung

Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtungdoi:DE102012207311?abstract? Eine SiC-Halbleitervorrichtung enth?lt ein Halbleiterelement, das in einem SiC-Substrat 1

eines Ausgangsmaterials, welches Siliziumcarbid in Pulver-

welches Siliziumcarbid und ein Kupfer enthaltendes Metall jeweils in Pulverform enthält, wobei das Ausgangsmaterial zu einem Formkörperrohling (1)

Siliziumcarbidpulver zur Herstellung eines

Es wird ein Siliziumcarbidpulver zur Herstellung eines Siliziumcarbid-Einkristalls bereitgestellt, dessen durchschnittlicher Teilchendurchmesser mindestens 10

Aktives siliziumcarbidpulver, enthaltend eine borkomponente,

Aktives siliziumcarbidpulver, enthaltend eine borkomponente, und verfahren zu dessen herstellung Active silicon carbide powder containing a boron component, a

BAUTEILE AUS SILIZIUM-INFILTRIERTEM SILIZIUMCARBID MIT PORO

20111212-Siliziumcarbid-Partikeln (P) in einer matrixB. pulvermetallurgische Herstellungsverfahren 6 zeigt dazu mit A markiert die dunkelgrauen